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三安光电将投资333亿元加码LED芯片及半导体产业项目

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12月5日晚,三安光电发布公告称,公司与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署《投资合作协议》,拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司。在业内人士看来,公司此次投资是在LED行业持续向好背景下的进一步扩产之举。

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根据公告,该投资合作协议议案已获公司第九届董事会第五次会议(2017年12月5日)审议通过。根据协议约定,此次投资总额高达333 亿元(含公共配套设施投资)。财报显示,截至今年三季度末,公司的货币资金为45.41亿元。

三安光电透露,全部项目将在5年内实现投产,7年内全部项目实现达产,经营期限不少于25 年。达产后,年销售收入约270 亿元(按当前产品单价计算)。公告显示,产业化项目包括:高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目;高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目;大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目;光通讯器件的研发与制造产业化项目;射频、滤波器的研发与制造产业化项目;功率型半导体(电力电子)的研发与制造产业化项目;特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。

三安光电表示,公司主要从事III-V族化合物半导体材料的研发与应用,着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片核心主业,努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

在谈及此次投资的影响,公司表示,本次投资项目属于国家着力打造的新兴战略性产业,具有节能环保等特点,符合公司产业发展方向和发展战略,目的是把主业做大做强做精,可充分发挥公司产业协同效应,丰富公司产品类别,大力提升公司产品附加值,延伸公司产业链,有利于进一步扩大公司产能,巩固公司行业地位,继续提升市场占有率,开拓新的应用领域,打造具有全球影响力的化合物半导体企业。

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